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首页 全部分类 IXFN24N100F vs SCT3080KLGC11

IXFN24N100F备选型号: SCT3080KLGC11

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  • 底架
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 无铅
  • IXYS
    IXFN24N100F
    IXYS
    IXYS RF IXFN24N100F RF FET Transistor, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B
    10 Weeks
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SOT-227B
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerRF™
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    600W
    N-Channel
    390mOhm @ 12A, 10V
    5.5V @ 8mA
    6600pF @ 25V
    195nC @ 10V
    18ns
    1000V
    ±20V
    11 ns
    24A
    20V
    1kV
    390mOhm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    SCT3080KLGC11
    ROHM Semiconductor
    MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
    21 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    31A Tc
    175°C TJ
    Tube
    -
    2018
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    165W
    N-Channel
    104m Ω @ 10A, 18V
    5.6V @ 5mA
    785pF @ 800V
    60nC @ 18V
    -
    1200V
    +22V, -4V
    -
    31A
    -
    1.2kV
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    15 ns
    SWITCHING
    77A
    175°C
    25.5mm
    无铅
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