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IXFQ26N50备选型号: IPP50R380CEXKSA1
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
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- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 无铅
MOSFET N-CH 500V 26A TO-30通孔通孔TO-3P-3, SC-65-326A TcTube活跃1 (Unlimited)N-Channel500V26AROHS3 Compliant---------------------------------
Trans MOSFET N-CH 550V 10.6A Tube通孔通孔TO-220-39.9A TcTube活跃1 (Unlimited)N-Channel-32.4AROHS3 Compliant18 Weeks3SILICON2008CoolMOS™-55°C~150°C TJe3yes3Tin (Sn)未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET73W7.2 nsSWITCHING380m Ω @ 3.2A, 13V3.5V @ 260μA无卤素584pF @ 100V24.8nC @ 10V5.6ns±20V8.6 nsTO-220AB20V500V550V超级交界处无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDA28N50 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN | 对比 |
| FDA28N50F | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN | 对比 |
 | SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 560V 32A TO-247 | 对比 |
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