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首页 全部分类 IXFR10N100Q vs TK10A80E,S4X

IXFR10N100Q备选型号: TK10A80E,S4X

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • IXYS
    IXFR10N100Q
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 1KV 9A 3-Pin(3 Tab) ISOPLUS247
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2002
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 5A, 10V
    5.5V @ 4mA
    2900pF @ 25V
    90nC @ 10V
    23ns
    1000V
    ±20V
    15 ns
    9A
    20V
    9A
    1kV
    40A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK10A80E,S4X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    -
    10A Ta
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVIII
    2014
    -
    -
    活跃
    不适用
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    50W
    -
    N-Channel
    -
    1 Ω @ 5A, 10V
    4V @ 1mA
    2000pF @ 25V
    46nC @ 10V
    40ns
    -
    ±30V
    35 ns
    10A
    30V
    -
    800V
    -
    符合RoHS标准
    12 Weeks
    6.000006g
    1
    80 ns
    150°C
    18.1mm
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