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首页 全部分类 IXFR16N120P vs FQA11N90-F109

IXFR16N120P备选型号: FQA11N90-F109

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 接通延迟时间
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • IXYS
    IXFR16N120P
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 1.2KV 9A 3-Pin(3 Tab) ISOPLUS 247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2012
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    230W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    1.04 Ω @ 8A, 10V
    6.5V @ 1mA
    6900pF @ 25V
    120nC @ 10V
    28ns
    1200V
    ±30V
    35 ns
    9A
    30V
    9A
    1.2kV
    800 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQA11N90-F109
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    11.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    960m Ω @ 5.7A, 10V
    5V @ 250μA
    3500pF @ 25V
    94nC @ 10V
    135ns
    -
    ±30V
    90 ns
    11.4A
    30V
    -
    900V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
    6.401g
    65 ns
    0.96Ohm
    45.6A
    无铅
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