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首页 全部分类 IXFR34N80 vs IPA65R190E6XKSA1

IXFR34N80备选型号: IPA65R190E6XKSA1

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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子位置
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXFR34N80
    IXYS
    MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    28A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2001
    e1
    yes
    Obsolete
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    800V
    未说明
    28A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    240m Ω @ 17A, 10V
    4V @ 8mA
    7500pF @ 25V
    270nC @ 10V
    45ns
    ±20V
    40 ns
    28A
    20V
    0.24Ohm
    800V
    600A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA65R190E6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    34W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.3A, 10V
    3.5V @ 730μA
    1620pF @ 100V
    73nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    10 ns
    20.8A
    20V
    -
    -
    66A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    1 (Unlimited)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    12 ns
    无卤素
    TO-220AB
    650V
    485 mJ
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SPA20N60C3XKSA1 SPA20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP 对比