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首页 全部分类 IXFR55N50 vs SPW47N65C3FKSA1

IXFR55N50备选型号: SPW47N65C3FKSA1

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • IXYS
    IXFR55N50
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3 Tab) ISOPLUS247
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    48A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2002
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    90MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    3
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 27.5A, 10V
    4.5V @ 8mA
    9400pF @ 25V
    330nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    45 ns
    48A
    20V
    500V
    220A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW47N65C3FKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    47A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2007
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    415W
    -
    N-Channel
    -
    70m Ω @ 30A, 10V
    3.9V @ 2.7mA
    7000pF @ 25V
    255nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    14 ns
    47A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8 Weeks
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100 ns
    TO-247AD
    650V
    0.07Ohm
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