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首页 全部分类 IXFX320N17T2 vs AUIRFP4568

IXFX320N17T2备选型号: AUIRFP4568

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 资历状况
  • 输出电压
  • 配置
  • 电源电流
  • 操作模式
  • 输出电流
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 驱动器数量
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 参考标准
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • DS 击穿电压-最小值
  • IXYS
    IXFX320N17T2
    IXYS
    MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    320A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GigaMOS™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    170V
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100A
    增强型MOSFET
    320A
    DRAIN
    46 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.2m Ω @ 60A, 10V
    5V @ 8mA
    45000pF @ 25V
    640nC @ 10V
    170ns
    ±20V
    230 ns
    320A
    0.0052Ohm
    800A
    5000 mJ
    1
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFP4568
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 171A AUTO
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    171A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2015
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    超低电阻
    SINGLE
    未说明
    未说明
    -
    R-PSFM-T3
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 103A, 10V
    5V @ 250μA
    10470pF @ 50V
    227nC @ 10V
    -
    ±30V
    -
    171A
    -
    684A
    763 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    4.8mOhm
    AEC-Q101
    150V
    TO-247AC
    150V
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