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首页 全部分类 IXFX48N50Q vs FCH072N60F

IXFX48N50Q备选型号: FCH072N60F

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 接通延迟时间
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXFX48N50Q
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    48A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2003
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    100MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    3
    Single
    增强型MOSFET
    500W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 24A, 10V
    4V @ 4mA
    7000pF @ 25V
    190nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    10 ns
    48A
    20V
    500V
    2500 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH072N60F
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 52A TO247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    481W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    72m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    8660pF @ 100V
    215nC @ 10V
    38ns
    ±20V
    25 ns
    52A
    20V
    600V
    1128 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6.39g
    EAR99
    8541.29.00.95
    43 ns
    TO-247AB
    0.072Ohm
    156A
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
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