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首页 全部分类 IXFX55N50 vs FCH072N60F

IXFX55N50备选型号: FCH072N60F

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFX55N50
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    55A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2002
    e1
    yes
    Obsolete
    3
    80MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    500V
    未说明
    55A
    未说明
    3
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    520W
    DRAIN
    45 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 500mA, 10V
    4.5V @ 8mA
    9400pF @ 25V
    330nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    45 ns
    55A
    4.5V
    20V
    500V
    220A
    150°C
    25.66mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH072N60F
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 52A TO247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    2013
    e3
    yes
    活跃
    3
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    481W
    -
    43 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    72m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    8660pF @ 100V
    215nC @ 10V
    38ns
    ±20V
    25 ns
    52A
    -
    20V
    600V
    156A
    -
    20.82mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6.39g
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8541.29.00.95
    TO-247AB
    0.072Ohm
    1128 mJ
    15.87mm
    4.82mm
    无
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