IXFX60N55Q2备选型号: FCH070N60E

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • Reach合规守则
  • 漏源电压 (Vdss)
  • IXYS
    MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2004
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    735W
    DRAIN
    N-Channel
    88m Ω @ 30A, 10V
    4.5V @ 8mA
    6900pF @ 25V
    200nC @ 10V
    14ns
    ±30V
    9 ns
    60A
    TO-264AA
    30V
    0.088Ohm
    550V
    240A
    4000 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 52A
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    N-Channel
    70m Ω @ 26A, 10V
    3.5V @ 250μA
    4925pF @ 380V
    166nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    52A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    12 Weeks
    6.39g
    EAR99
    8541.29.00.95
    not_compliant
    600V
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