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首页 全部分类 IXFX80N50P vs FCH041N65F-F155

IXFX80N50P备选型号: FCH041N65F-F155

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 质量
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXFX80N50P
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHT™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    65MOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    500V
    未说明
    80A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.04kW
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 40A, 10V
    5V @ 8mA
    12700pF @ 25V
    197nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    16 ns
    80A
    30V
    500V
    200A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH041N65F-F155
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 650V 76A TO247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    76A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    44mOhm
    Tin (Sn)
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    41m Ω @ 38A, 10V
    5V @ 7.6mA
    13020pF @ 100V
    294nC @ 10V
    47ns
    ±20V
    6.5 ns
    76A
    30V
    -
    228A
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6.39g
    not_compliant
    R-PSFM-T3
    1
    60 ns
    650V
    TO-247AB
    650V
    2025 mJ
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