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首页 全部分类 IXFX80N50Q3 vs STY100NM60N

IXFX80N50Q3备选型号: STY100NM60N

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 下降时间（典型值）
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXFX80N50Q3
    IXYS
    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    65MOhm
    雪崩 额定
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.25kW
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 40A, 10V
    6.5V @ 8mA
    10000pF @ 25V
    200nC @ 10V
    250ns
    ±30V
    80A
    30V
    500V
    240A
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STY100NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 600 V, 0.025 Ohm typ., 98 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    -
    98A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    625W
    -
    45 ns
    N-Channel
    -
    29m Ω @ 49A, 10V
    4V @ 250μA
    9600pF @ 50V
    330nC @ 10V
    52ns
    -
    98A
    25V
    600V
    -
    20.3mm
    15.9mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    EAR99
    STY100
    81 ns
    无
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