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首页 全部分类 IXFX94N50P2 vs FCH041N65F-F085

IXFX94N50P2备选型号: FCH041N65F-F085

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • Reach合规守则
  • 漏源电压 (Vdss)
  • IXYS
    IXFX94N50P2
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    94A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHV™
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.3kW
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 8mA
    13700pF @ 25V
    220nC @ 10V
    ±30V
    94A
    30V
    0.055Ohm
    500V
    240A
    3500 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH041N65F-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 650V 76A TO247
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    76A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
    -
    -
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    41m Ω @ 38A, 10V
    5V @ 250μA
    13566pF @ 25V
    304nC @ 10V
    ±20V
    76A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
    6.39g
    not_compliant
    650V
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