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首页 全部分类 IXGA15N100C vs HGT1S10N120BNS

IXGA15N100C备选型号: HGT1S10N120BNS

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  • 连续集电极电流
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGA15N100C
    IXYS
    IGBT 1000V 30A 150W TO263AA
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.59999g
    SILICON
    1kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Lightspeed™
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Matte Tin (Sn)
    150W
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    150W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1kV
    30A
    1000V
    43 ns
    3.5V @ 15V, 15A
    430 ns
    73nC
    60A
    25ns/150ns
    850μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1S10N120BNS
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(2 Tab) TO-263AB Rail
    44 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    312W
    鸥翼
    260
    -
    30
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    1.2kV
    35A
    1200V
    32 ns
    2.7V @ 15V, 10A
    330 ns
    100nC
    80A
    23ns/165ns
    320μJ (on), 800μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
    2.7V
    EAR99
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    1.2kV
    35A
    HGT1S10N120
    1.2kV
    35A
    298W
    1.2kV
    55A
    NPT
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无
    无铅
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