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首页 全部分类 IXGH10N170 vs IXBH10N170

IXGH10N170备选型号: IXBH10N170

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  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 系列
  • 反向恢复时间
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • IXYS
    IXGH10N170
    IXYS
    IGBT 1700V 20A 110W TO247
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    110W
    未说明
    未说明
    IXG*10N170
    3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    45 ns
    110W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7kV
    20A
    TO-247AD
    1700V
    300 ns
    4V @ 15V, 10A
    630 ns
    NPT
    32nC
    70A
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXBH10N170
    IXYS
    IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    140W
    未说明
    未说明
    -
    3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    140W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7kV
    20A
    TO-247AD
    1700V
    63 ns
    3.8V @ 15V, 10A
    1800 ns
    -
    30nC
    40A
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    2.3V
    BIMOSFET™
    360 ns
    35ns/500ns
    6mJ (off)
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