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首页 全部分类 IXGH20N120BD1 vs FGA20N120FTDTU

IXGH20N120BD1备选型号: FGA20N120FTDTU

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  • HTS代码
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • 最大击穿电压
  • IGBT类型
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXGH20N120BD1
    IXYS
    IGBT 1200V 40A 190W TO247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    190W
    未说明
    未说明
    IXG*20N120
    3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    190W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    40A
    TO-247AD
    1200V
    43 ns
    3.4V @ 15V, 20A
    630 ns
    72nC
    25ns/150ns
    2.1mJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGA20N120FTDTU
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin(3 Tab) TO-3PN Tube
    11 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    -
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    298W
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    298W
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    40A
    -
    1200V
    -
    2V @ 15V, 20A
    -
    137nC
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    30 ns
    447 ns
    1.2kV
    沟渠现场停车
    60A
    25V
    7.5V
    18.9mm
    15.8mm
    5mm
    无
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