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首页 全部分类 IXGH60N60C3D1 vs IXXH30N60B3D1

IXGH60N60C3D1备选型号: IXXH30N60B3D1

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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
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  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • IXYS
    IXGH60N60C3D1
    IXYS
    IGBT 600V 75A 380W TO247AD
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    380W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    IXG*60N60
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    21 ns
    380W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5V
    75A
    25 ns
    TO-247AD
    64 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    226 ns
    PT
    115nC
    300A
    21ns/70ns
    800μJ (on), 450μJ (off)
    20V
    5V
    95ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH30N60B3D1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    270W
    -
    -
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    25ns
    TO-247AD
    57 ns
    1.85V @ 15V, 24A
    292 ns
    PT
    39nC
    115A
    23ns/97ns
    550μJ (on), 500μJ (off)
    20V
    5.5V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.66V
    Single
    270W
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