IXGP20N120A3备选型号: HGTP5N120BND
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- 晶体管元件材料
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
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- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
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- 基本部件号
- 引脚数量
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- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 反向恢复时间
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- IGBT 1200V 40A 180W TO22026 Weeks通孔通孔TO-220-332.299997gSILICON1.2kV2.3V-55°C~150°C TJTubeGenX3™2009yes活跃1 (Unlimited)3EAR99低导通损耗180W未说明未说明IXG*20N1203不合格Single180WCOLLECTORStandard16 ns电源控制N-CHANNEL1.2kV40ATO-220AB1200V66 ns2.5V @ 15V, 20A1530 nsPT50nC120A16ns/290ns2.85mJ (on), 6.47mJ (off)20V5V无SVHCROHS3 Compliant无铅------------
- IGBT Transistors 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch6 Weeks通孔通孔TO-220-331.8gSILICON1.2kV2.45V-55°C~150°C TJTube--yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99低导通损耗167W-----Single167WCOLLECTORStandard-MOTOR CONTROLN-CHANNEL1.2kV21ATO-220AB1200V35 ns2.7V @ 15V, 5A357 nsNPT53nC40A22ns/160ns450μJ (on), 390μJ (off)---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)e3Tin (Sn)8541.29.00.951.2kV21A65ns21A9.4mm10.67mm4.83mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4BC40WPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 40A 160W TO220AB | 对比 |
| HGTP10N120BN | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail | 对比 | |
![]() | IXA20I1200PB | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA20I1200PB IGBT Single Transistor, 33 A, 2.1 V, 130 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins | 对比 |




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