您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXGR32N170H1 vs HGTG10N120BND

IXGR32N170H1备选型号: HGTG10N120BND

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 极性
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 极性/通道类型
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGR32N170H1
    IXYS
    IGBT 1700V 38A 200W ISOPLUS247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    1.7kV
    3.5V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    UL 认证
    200W
    IXG*32N170
    3
    不合格
    NPN
    Single
    ISOLATED
    Standard
    200W
    电源控制
    250ns
    1.7kV
    38A
    230 ns
    TO-247AD
    1700V
    90 ns
    3.5V @ 15V, 21A
    920 ns
    NPT
    155nC
    200A
    45ns/270ns
    10.6mJ (off)
    20V
    5V
    500ns
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG10N120BND
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 35A 298W TO247
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    2.45V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    低导通损耗
    298W
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    MOTOR CONTROL
    165ns
    1.2kV
    35A
    70 ns
    -
    1200V
    32 ns
    2.7V @ 15V, 10A
    330 ns
    NPT
    100nC
    80A
    23ns/165ns
    850μJ (on), 800μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    6.39g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    1.2kV
    35A
    298W
    23 ns
    N-CHANNEL
    35A
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 1200V 40A 288W TO247 对比
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 1.35KV 40A 3-Pin TO-247 Tube 对比
IXGH24N120C3 IXGH24N120C3 IXYS 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 48A 3-Pin(3 Tab) TO-247 对比