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首页 全部分类 IXGR6N170A vs IRG4PH40UPBF

IXGR6N170A备选型号: IRG4PH40UPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 终端
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    IXGR6N170A
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 5.5A 3-Pin(3 Tab) ISOPLUS 247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    50W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    ISOLATED
    Standard
    50W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7kV
    5.5A
    1700V
    91 ns
    7V @ 15V, 3A
    271 ns
    18.5nC
    18A
    46ns/220ns
    590μJ (on), 180μJ (off)
    20V
    5V
    65ns
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PH40UPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 41A 160W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2000
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    160W
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    3.1V
    41A
    1200V
    49 ns
    3.1V @ 15V, 21A
    690 ns
    86nC
    82A
    24ns/220ns
    1.04mJ (on), 3.4mJ (off)
    20V
    3V
    190ns
    无
    ROHS3 Compliant
    2.43V
    通孔
    EAR99
    低导通损耗
    1.2kV
    41A
    160W
    24 ns
    18ns
    TO-247AC
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无铅
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