IXGX100N170备选型号: IXGH30N120B3D1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 系列
- 基本部件号
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 无铅
- IGBT 1700V 170A 830W PLUS247通孔通孔TO-247-33SILICON1.7kV2.5V-55°C~150°C TJTube2012e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗830W未说明未说明3不合格Single830WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL3V170A1700V285 ns3V @ 15V, 100A720 nsNPT425nC600A20V5VROHS3 Compliant---------
- IGBT 1200V 300W TO247AD通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV2.96V-55°C~150°C TJTube2008-yes活跃1 (Unlimited)3-低导通损耗300W未说明未说明3不合格Single300WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.2kV150A1200V56 ns3.5V @ 15V, 30A471 nsPT87nC-20V5VROHS3 Compliant20 Weeks6.500007gGenX3™IXG*30N120100nsTO-247AD16ns/127ns3.47mJ (on), 2.16mJ (off)无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT85GR120B2 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 170A 3-Pin(3 Tab) T-MAX | 对比 |
![]() | IXYH82N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD | 对比 |
![]() | IXYX100N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT | 对比 |





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