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首页 全部分类 IXGX82N120B3 vs APT85GR120B2

IXGX82N120B3备选型号: APT85GR120B2

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGX82N120B3
    IXYS
    IGBT Transistors GenX3 1200V IGBTs
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    Tube
    GenX3™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    1.25kW
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    Standard
    1250W
    电源控制
    N-CHANNEL
    3.2V
    230A
    1200V
    112 ns
    3.2V @ 15V, 82A
    760 ns
    PT
    350nC
    500A
    30ns/210ns
    5mJ (on), 3.3mJ (off)
    20V
    5V
    180ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT85GR120B2
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 170A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    1.2kV
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    962W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    962W
    -
    -
    1.2kV
    170A
    1200V
    -
    3.2V @ 15V, 85A
    -
    NPT
    660nC
    340A
    43ns/300ns
    6mJ (on), 3.8mJ (off)
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    3
    -55°C~150°C TJ
    2001
    EAR99
    Single
    无
    无铅
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