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首页 全部分类 IXKP20N60C5 vs FDP20N50

IXKP20N60C5备选型号: FDP20N50

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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
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  • 生命周期状态
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  • 触点镀层
  • 质量
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXKP20N60C5
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    208W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 10A, 10V
    3.5V @ 1.1mA
    1520pF @ 100V
    45nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    20A
    TO-220AB
    20V
    0.2Ohm
    600V
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP20N50
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2004
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    230m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    3120pF @ 25V
    59.5nC @ 10V
    375ns
    ±30V
    105 ns
    20A
    TO-220AB
    30V
    -
    500V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    Tin
    1.8g
    e3
    EAR99
    230MOhm
    雪崩 额定
    95 ns
    5V
    80A
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    无铅
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