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IXTA120P065T备选型号: IPB025N08N3GATMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 端子位置
- 配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET P-CH 65V 120A TO-26328 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON120A Tc-55°C~150°C TJTubeTrenchP™2010e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR9910MOhmPURE TIN雪崩 额定鸥翼未说明unknown未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET298WDRAINP-ChannelSWITCHING10m Ω @ 500mA, 10V4V @ 250μA13200pF @ 25V185nC @ 10V28ns65V±15V21 ns120A15V0.12A-65V360A1000 mJROHS3 Compliant无铅-------
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2 Tab) TO-26313 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)-鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格-增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING2.5m Ω @ 100A, 10V3.5V @ 270μA14200pF @ 40V206nC @ 10V73ns-±20V33 ns120A20V--480A-ROHS3 Compliant含铅3SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE28 ns无卤素80V0.0025Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
| IPB100N06S3-04 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 100A | 对比 |
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