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IXTA1R6N100D2备选型号: STH6N95K5-2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 操作模式
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK24 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON1.6A Tc-55°C~150°C TJTube2011yes活跃1 (Unlimited)2SINGLE鸥翼未说明unknown未说明3R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE100WDRAINN-ChannelSWITCHING10 Ω @ 800mA, 0V645pF @ 25V27nC @ 5V1000V±20V1.6A20V耗尽模式ROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 950V 6A26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON6A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)--活跃1 (Unlimited)2SINGLE鸥翼未说明-未说明-R-PSSO-G2-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-DRAINN-ChannelSWITCHING1.25 Ω @ 3A, 10V450pF @ 100V13nC @ 10V950V±30V6A--ROHS3 Compliant无铅MDmesh™ K5EAR99STH6N增强型MOSFET5V @ 100μA6A24A950V90 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPB02N60S5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| SPB02N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
 | FQB2P40TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK | 对比 |
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