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IXTA24P085T备选型号: RSJ300N10TL
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET P-CH 85V 24A TO-26328 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON24A Tc-55°C~150°C TJTubeTrenchP™2010e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99PURE TIN雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明unknown未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING65m Ω @ 12A, 10V4.5V @ 250μA2090pF @ 25V41nC @ 10V85V±15V24A0.065Ohm80A85V200 mJROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON30A Ta150°C TJTape & Reel (TR)-2011--不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99---鸥翼---3R-PSSO-G2--增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING52m Ω @ 15A, 10V2.5V @ 1mA2200pF @ 25V50nC @ 10V100V±20V30A0.059Ohm60A--ROHS3 Compliant无铅831Single20 ns65ns180 ns20V4.5mm10.1mm9mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB50CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| NTB27N06LT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3 | 对比 |
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