IXTA300N04T2-7备选型号: AUIRFS8409-7P

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET N-CH 40V 300A TO-263
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    SILICON
    300A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchT2™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    PURE TIN
    雪崩 额定
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    4
    R-PSSO-G6
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    480W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    10700pF @ 25V
    145nC @ 10V
    ±20V
    300A
    20V
    0.0025Ohm
    40V
    900A
    600 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    375W
    -
    N-Channel
    -
    0.75m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 250μA
    13975pF @ 25V
    460nC @ 10V
    ±20V
    240A
    20V
    -
    40V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    13 Weeks
    7
    IRFS8409
    1
    32 ns
    148ns
    107 ns
    3V
    3 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无铅
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