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首页 全部分类 IXTA3N120-TRL vs STH3N150-2

IXTA3N120-TRL备选型号: STH3N150-2

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTA3N120-TRL
    IXYS
    MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    4.5 Ω @ 1.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1350pF @ 25V
    42nC @ 10V
    1200V
    ±20V
    3A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
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    -
  • STMicroelectronics
    STH3N150-2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
    2.5A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    9 Ω @ 1.3A, 10V
    5V @ 250μA
    939pF @ 25V
    29.3nC @ 10V
    1500V
    ±30V
    2.5A
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    3
    SILICON
    H2PAK-2-8159712
    PowerMESH™
    e3
    2
    EAR99
    鸥翼
    STH3N
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    24 ns
    SWITCHING
    47ns
    61 ns
    4V
    30V
    9Ohm
    1.5kV
    450 mJ
    150°C
    5mm
    10.4mm
    15.8mm
    无SVHC
    无
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