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首页 全部分类 IXTA44P15T vs FQB34P10TM

IXTA44P15T备选型号: FQB34P10TM

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
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  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTA44P15T
    IXYS
    MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds
    28 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    44A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    65MOhm
    PURE TIN
    雪崩 额定
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    298W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 22A, 10V
    4V @ 250μA
    13400pF @ 25V
    175nC @ 10V
    150V
    ±15V
    44A
    15V
    -150V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQB34P10TM
    ON Semiconductor
    Transistor: P-MOSFET; unipolar; 100V; 23.5A; 155W; D2PAK; QFET®
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    33.5A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    60mOhm
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    3.75W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 16.75A, 10V
    4V @ 250μA
    2910pF @ 25V
    110nC @ 10V
    100V
    ±25V
    33.5mA
    25V
    -100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    3
    1.31247g
    -100V
    -34A
    25 ns
    250ns
    210 ns
    4V
    2200 mJ
    4 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
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