我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IXTA5N50P备选型号: FQB9N50CTM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- ECCN 代码
- 电阻
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2 Tab) TO-2638 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON4.8A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006e3yesObsolete1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)雪崩 额定500V鸥翼未说明5A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET89WDRAINN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 2.4A, 10V5.5V @ 50μA620pF @ 25V12.6nC @ 10V26ns±30V24 ns4.8ATO-263AA30V5A500V10A250 mJ符合RoHS标准无铅------------
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series7 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON9A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2003e3yes活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)-500V鸥翼-9A--R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET135WDRAINN-ChannelSWITCHING800m Ω @ 4.5A, 10V4V @ 250μA1030pF @ 25V35nC @ 10V65ns±30V64 ns9A-30V9A500V--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)31.31247gEAR99800mOhm18 ns2V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB65R660CFDATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 4-Pin(3 Tab) TO-263 | 对比 |
| SPB16N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
哦! 它是空的。