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IXTA90N055T2备选型号: IPB80N06S2L07ATMA3
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 端子位置
- 配置
- 最大双电源电压
- 无铅
MOSFET N-CH 55V 90A TO-26328 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON10V-55°C~175°C TJTubeTrenchT2™2012e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET150WDRAINN-ChannelSWITCHING8.4m Ω @ 25A, 10V4V @ 250μA2770pF @ 25V42nC @ 10V21ns±20V19 ns90A20V0.0084Ohm55V230A300 mJROHS3 Compliant----
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-310 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006-yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-逻辑电平兼容鸥翼未说明not_compliant未说明-R-PSSO-G2--增强型MOSFET-DRAINN-Channel-6.7m Ω @ 60A, 10V2V @ 150μA3160pF @ 25V130nC @ 10V-±20V-80A-0.0097Ohm-320A450 mJROHS3 CompliantSINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE55V含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HUF75345S3S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| IRL2505STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Single N-Channel 55 V 0.008 Ohm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK | 对比 |
| AUIRF3205ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
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