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首页 全部分类 IXTH02N450HV vs IRFP260NPBF

IXTH02N450HV备选型号: IRFP260NPBF

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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTH02N450HV
    IXYS
    MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    SILICON
    200mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    625 Ω @ 10mA, 10V
    6.5V @ 250μA
    246pF @ 25V
    10.6nC @ 10V
    4500V
    ±20V
    200mA
    0.2A
    0.6A
    4500V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP260NPBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 50A; TO-247AC; Pd 300W; Vgs /-20V
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 28A, 10V
    4V @ 250μA
    4057pF @ 25V
    234nC @ 10V
    -
    ±20V
    50A
    -
    200A
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    HEXFET®
    e3
    通孔
    EAR99
    40mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    200V
    250
    50A
    30
    Single
    300W
    17 ns
    60ns
    48 ns
    4V
    TO-247AC
    20V
    200V
    200V
    560 mJ
    402 ns
    4 V
    20.2946mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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