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首页 全部分类 IXTH140P05T vs AUIRFP064N

IXTH140P05T备选型号: AUIRFP064N

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTH140P05T
    IXYS
    MOSFET P-CH 50V 140A TO-247
    17 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    298W Tc
    2010
    TrenchP™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 70A, 10V
    4V @ 250μA
    13500pF @ 25V
    200nC @ 10V
    50V
    ±15V
    140A
    TO-247AD
    0.009Ohm
    420A
    50V
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFP064N
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 98A TO-247AC
    9 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    110A Tc
    2011
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 59A, 10V
    4V @ 250μA
    4000pF @ 25V
    170nC @ 10V
    -
    ±20V
    110A
    TO-247AC
    0.008Ohm
    -
    -
    480 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    Single
    200W
    14 ns
    100ns
    70 ns
    2V
    20V
    55V
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
    无
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