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IXTH22N50P备选型号: TK16N60W,S1VF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电容量
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 500V 22A TO-24728 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON22A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHV™2006e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET350WDRAINN-ChannelSWITCHING270m Ω @ 11A, 10V5.5V @ 250μA2630pF @ 25V50nC @ 10V27ns±30V21 ns22ATO-247AD30V0.27Ohm500V50A750 mJROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N CH 600V 15.8A TO24716 Weeks通孔通孔TO-247-3--15.8A Ta150°C TJTubeDTMOSIV2013--活跃1 (Unlimited)-------Single---N-Channel-190mOhm @ 7.9A, 10V3.7V @ 790μA1350pF @ 300V38nC @ 10V25ns±30V5 ns15.8A-30V----符合RoHS标准-TO-247190mOhm150°C-55°C1.35nF600V1.35nF超级交界处160mOhm190 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW24N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | 对比 |
| TK17N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247 | 对比 |
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