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首页 全部分类 IXTH6N150 vs STW12N150K5

IXTH6N150备选型号: STW12N150K5

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • IXYS
    IXTH6N150
    IXYS
    MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2012
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 250μA
    2230pF @ 25V
    67nC @ 10V
    1500V
    ±20V
    6A
    6A
    24A
    1500V
    500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW12N150K5
    STMicroelectronics
    Single N-Channel 1500 V 1.9 Ohm 47 nC MDmesh? K5 Power MOSFET - LFPAK-4
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    1.9 Ω @ 3.5A, 10V
    5V @ 100μA
    1360pF @ 100V
    47nC @ 10V
    1500V
    ±30V
    7A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    MDmesh™ K5
    EAR99
    STW12N
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