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首页 全部分类 IXTK5N250 vs NTY100N10

IXTK5N250备选型号: NTY100N10

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  • 端子位置
  • 引脚数量
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  • 资历状况
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • IXYS
    IXTK5N250
    IXYS
    MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    8.8 Ω @ 2.5A, 10V
    5V @ 1mA
    8560pF @ 25V
    200nC @ 10V
    2500V
    ±30V
    5A
    5A
    20A
    2500V
    2500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTY100N10
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
    -
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    313W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    3
    -
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    10110pF @ 25V
    350nC @ 10V
    -
    ±20V
    123A
    -
    -
    -
    500 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    3
    e0
    EAR99
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    100V
    240
    not_compliant
    123A
    30
    Single
    313W
    150ns
    250 ns
    20V
    0.01Ohm
    100V
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NTY100N10G NTY100N10G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-264-3, TO-264AA MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 对比