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首页 全部分类 IXTP05N100P vs STF8NK100Z

IXTP05N100P备选型号: STF8NK100Z

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  • 生命周期状态
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  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTP05N100P
    IXYS
    MOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on)
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    500mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Polar™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    30 Ω @ 250mA, 10V
    4V @ 50μA
    196pF @ 25V
    8.1nC @ 10V
    1000V
    ±20V
    500mA
    TO-220AB
    0.5A
    1.25A
    1000V
    50 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF8NK100Z
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    6.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    1.85 Ω @ 3.15A, 10V
    4.5V @ 100μA
    2180pF @ 25V
    102nC @ 10V
    1000V
    ±30V
    6.5A
    TO-220AB
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    3
    e3
    1.85Ohm
    1kV
    6.5A
    STF8N
    Single
    40W
    28 ns
    19ns
    30 ns
    3.75V
    30V
    1kV
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    无铅
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