IXTP26P10T备选型号: IRLI2910PBF

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    26A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    unknown
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 13A, 10V
    4.5V @ 250μA
    3820pF @ 25V
    52nC @ 10V
    15ns
    ±15V
    1 ns
    26A
    TO-220AB
    15V
    0.09Ohm
    100V
    80A
    300 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    31A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    63W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 16A, 10V
    2V @ 250μA
    3700pF @ 25V
    140nC @ 5V
    100ns
    ±16V
    55 ns
    31A
    TO-220AB
    16V
    -
    100V
    -
    520 mJ
    ROHS3 Compliant
    14 Weeks
    3
    30mOhm
    100V
    27A
    11 ns
    2V
    100V
    2.5kV
    2 V
    9.8044mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无铅
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