IXTP300N04T2备选型号: IPP039N04LGXKSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 引脚数
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最大双电源电压
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 40V 300A TO-22017 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON300A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchT2™2008e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定SINGLE未说明未说明3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET480WDRAINN-ChannelSWITCHING2.5m Ω @ 500mA, 10V4V @ 250μA10700pF @ 25V145nC @ 10V40V±20V300ATO-220AB20V0.0025Ohm900A40V600 mJROHS3 Compliant--------
- Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-22013 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2007-yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-逻辑电平兼容SINGLE未说明未说明3-不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET94W-N-ChannelSWITCHING3.9m Ω @ 80A, 10V2V @ 45μA6100pF @ 25V78nC @ 10V-±20V80ATO-220AB20V0.0052Ohm400A-60 mJROHS3 Compliant310 ns无卤素5.4ns6 ns40V无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 | 对比 |
![]() | STP360N4F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
![]() | IPP015N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 | 对比 |





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