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首页 全部分类 IXTP3N50P vs FDPF5N50NZ

IXTP3N50P备选型号: FDPF5N50NZ

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  • 端子表面处理
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  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTP3N50P
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    3.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    500V
    未说明
    3A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 1.8A, 10V
    5.5V @ 50μA
    409pF @ 25V
    9.3nC @ 10V
    15ns
    ±30V
    12 ns
    3.6A
    TO-220AB
    30V
    2Ohm
    500V
    8A
    180 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF5N50NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    30W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 2.25A, 10V
    5V @ 250μA
    440pF @ 25V
    12nC @ 10V
    22ns
    ±25V
    21 ns
    4.5A
    TO-220AB
    25V
    -
    500V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2.27g
    EAR99
    1.5Ohm
    12 ns
    5 V
    15.87mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
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