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首页 全部分类 IXTQ100N25P vs IRFB4127PBF

IXTQ100N25P备选型号: IRFB4127PBF

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTQ100N25P
    IXYS
    MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    27MOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    600W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 50A, 10V
    5V @ 250μA
    6300pF @ 25V
    185nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    28 ns
    100A
    5V
    20V
    250V
    250A
    2000 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4127PBF
    Infineon Technologies
    In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4127PBF
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    76A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    20MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 44A, 10V
    5V @ 250μA
    5380pF @ 50V
    150nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    22 ns
    76A
    5V
    20V
    200V
    -
    250 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    1
    17 ns
    TO-220AB
    200V
    175°C
    5 V
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    无
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