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首页 全部分类 IXTQ130N15T vs IRFPS3815PBF

IXTQ130N15T备选型号: IRFPS3815PBF

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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTQ130N15T
    IXYS
    MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2007
    TrenchHV™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 65A, 10V
    4.5V @ 1mA
    9800pF @ 25V
    113nC @ 10V
    150V
    ±30V
    130A
    0.012Ohm
    150V
    1200 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFPS3815PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247
    通孔
    通孔
    TO-274AA
    3
    SILICON
    105A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    2004
    HEXFET®
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 63A, 10V
    5V @ 250μA
    6810pF @ 25V
    390nC @ 10V
    -
    ±30V
    105A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    25 Weeks
    150V
    105A
    Single
    441W
    22 ns
    130ns
    60 ns
    30V
    150V
    20.8mm
    16.0782mm
    5.3mm
    无
    无铅
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