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首页 全部分类 IXTQ18N60P vs SPA15N60CFDXKSA1

IXTQ18N60P备选型号: SPA15N60CFDXKSA1

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  • RoHS状态
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  • 配置
  • 接通延迟时间
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  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • IXYS
    IXTQ18N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    600V
    未说明
    18A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    360W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    420m Ω @ 9A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2500pF @ 25V
    49nC @ 10V
    22ns
    ±30V
    22 ns
    18A
    30V
    0.42Ohm
    600V
    54A
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA15N60CFDXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    13.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    34W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    330m Ω @ 9.4A, 10V
    5V @ 750μA
    1820pF @ 25V
    84nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    5 ns
    13.4A
    20V
    -
    -
    -
    460 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    43 ns
    无卤素
    650V
    TO-220AB
    600V
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