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首页 全部分类 IXTQ36N50P vs FDH44N50

IXTQ36N50P备选型号: FDH44N50

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  • 额定电流
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  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTQ36N50P
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    36A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    170mOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    500V
    未说明
    36A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    540W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    170m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 250μA
    5500pF @ 25V
    85nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    21 ns
    36A
    30V
    500V
    108A
    1500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDH44N50
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    120mOhm
    Tin (Sn)
    -
    500V
    -
    44A
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    750W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 22A, 10V
    4V @ 250μA
    5335pF @ 25V
    108nC @ 10V
    84ns
    ±30V
    79 ns
    44A
    30V
    500V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6.39g
    通孔
    EAR99
    16 ns
    3.15V
    500V
    3.15 V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
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FDA28N50 FDA28N50 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN 对比