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IXTQ36P15P备选型号: IRF3415PBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 螺纹距离
- 电压
- 电流
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P24 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33SILICON36A Tc-55°C~150°C TJTubePolarP™2009e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99PURE TIN雪崩 额定未说明unknown未说明3不合格Single增强型MOSFET300WDRAINP-ChannelSWITCHING110m Ω @ 18A, 10V4.5V @ 250μA3100pF @ 25V55nC @ 10V31ns150V±20V15 ns36A20V0.11Ohm-150V90A1500 mJROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON43A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier雪崩 额定-----Single增强型MOSFET200WDRAINN-ChannelSWITCHING42m Ω @ 22A, 10V4V @ 250μA2400pF @ 25V200nC @ 10V55ns-±20V69 ns43A20V-150V-590 mJROHS3 Compliant无铅通孔42MOhm150V43A2.54mm150V43A12 ns4VTO-220AB150V390 ns4 V15.24mm10.5156mm4.69mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQA36P15 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3 Tab) TO-3PN Tube | 对比 |
 | FQA28N15 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3 Tab) TO-3P Tube | 对比 |
 | IPA105N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | Trans MOSFET N-CH 150V 37A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Full-Pak | 对比 |
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