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IXTQ82N25P备选型号: IRFB4332PBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P24 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-33SILICON82A Tc-55°C~150°C TJTubePolarHT™2006e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET500WDRAINN-ChannelSWITCHING35m Ω @ 41A, 10V5V @ 250μA4800pF @ 25V142nC @ 10V20ns±20V22 ns82A20V250V200A1000 mJROHS3 Compliant无铅----------------
MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON60A Tc-40°C~175°C TJTubeHEXFET®2008--活跃1 (Unlimited)3EAR99------Single增强型MOSFET390WDRAINN-ChannelSWITCHING33m Ω @ 35A, 10V5V @ 250μA5860pF @ 25V150nC @ 10V-±30V-60A30V250V--ROHS3 Compliant无铅通孔33MOhm250V60A15VTO-220AB250V290 ns175°C5 V19.8mm10.66mm4.82mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQA62N25C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series | 对比 |
 | IRFP4768PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 250V 93A TO-247AC | 对比 |
| FDA69N25 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET 250V N-Channel MOSFET | 对比 |
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