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首页 全部分类 IXTR140P10T vs IRFP4310ZPBF

IXTR140P10T备选型号: IRFP4310ZPBF

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 终端
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTR140P10T
    IXYS
    MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    SINGLE
    3
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    P-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 70A, 10V
    4V @ 250μA
    31400pF @ 25V
    400nC @ 10V
    100V
    ±15V
    110A
    90A
    0.013Ohm
    400A
    100V
    2000 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP4310ZPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 100 V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    6860pF @ 50V
    170nC @ 10V
    -
    ±20V
    134A
    -
    -
    560A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    通孔
    6MOhm
    Single
    280W
    20 ns
    60ns
    57 ns
    4V
    TO-247AC
    20V
    100V
    100V
    40 ns
    4 V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    无铅
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