IXTR48P20P备选型号: IRFB31N20DPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 引脚数
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS24728 Weeks通孔通孔ISOPLUS247™SILICON30A Tc-55°C~150°C TJTubePolarP™2008e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99锡银铜AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZEDSINGLE未说明unknown未说明3R-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDP-ChannelSWITCHING93m Ω @ 24A, 10V4.5V @ 250μA5400pF @ 25V103nC @ 10V200V±20V30A0.093Ohm144A200V2500 mJROHS3 Compliant无铅-----------------------
- Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.082 Ohm; Id 31A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs /-30V14 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON31A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®1998e3-不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99---250-30----增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING82m Ω @ 18A, 10V5.5V @ 250μA2370pF @ 25V107nC @ 10V-±30V31A---420 mJROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeTin3通孔82mOhm200V31ASingle200W16 ns38ns10 ns5.5VTO-220AB30V200V200V300 ns5.5 V8.763mm10.5156mm4.69mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MTW32N20E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 200V 32A TO-247 | 对比 |




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