IXTX20N150备选型号: IRFP9140NPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 系列
- JESD-609代码
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS24728 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON20A Tc-55°C~150°C TJTube2012活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定SINGLEunknownR-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 10A, 10V4.5V @ 1mA7800pF @ 25V215nC @ 10V1500V±30V20A1Ohm50A1500V2500 mJROHS3 Compliant无铅---------------------------
- MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC12 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON23A Tc-55°C~175°C TJBulk1998活跃1 (Unlimited)3AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY----增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING117m Ω @ 13A, 10V4V @ 250μA1300pF @ 25V97nC @ 10V100V±20V-23A-76A--ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free3HEXFET®e3通孔EAR99117mOhm镍外哑光锡-100V250-23A30Single120W15 ns67ns-4VTO-247AC20V-100V-100V220 ns-4 V20.3mm15.875mm5.3mm无SVHC无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STW12N150K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Single N-Channel 1500 V 1.9 Ohm 47 nC MDmesh? K5 Power MOSFET - LFPAK-4 | 对比 |
![]() | STW21N150K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1500V 14A TO-247 | 对比 |





哦! 它是空的。