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IXTY2N60P备选型号: TK2P60D(TE16L1,NQ)
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON2A Tc-55°C~150°C TJTubePolar™2006yesObsolete1 (Unlimited)2雪崩 额定600V鸥翼未说明2A未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET55WDRAINN-ChannelSWITCHING5.1 Ω @ 1A, 10V5V @ 250μA240pF @ 25V7nC @ 10V20ns±30V23 ns2ATO-252AA30V2A600V4A150 mJ符合RoHS标准无铅------------ MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD18 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-2A Ta150°C TJTape & Reel (TR)π-MOSVII2009-活跃1 (Unlimited)----------Single-60W-N-Channel-4.3Ohm @ 1A, 10V4.4V @ 1mA280pF @ 25V7nC @ 10V15ns±30V7 ns2A-30V----符合RoHS标准-PW-MOLD150°C-55°C35 ns600V280pF4.3 Ω2.3mm6.5mm5.5mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|
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